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日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

產(chǎn)品型號:

所屬分類:熱導率

產(chǎn)品時間:2025-05-03

簡要描述:日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω
該設備是世界上唯yi使用2ω方法測量納米薄膜在厚度方向上的導熱率的商用設備。與其他方法相比,樣品的生產(chǎn)和測量更加容易。

詳細說明:

日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

該設備是世界上唯yi使用2ω方法測量納米薄膜在厚度方向上的導熱率的商用設備。與其他方法相比,樣品的生產(chǎn)和測量更加容易。

使用

  • 量化低K絕緣膜的熱阻,以用于半導體器件的熱設計
  • 絕緣膜的開發(fā)和散熱的改善
  • 在熱電薄膜中的應用評價

特征

  • 可以測量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的熱導率。
  • 使用熱反射法通過溫度幅度檢測實現(xiàn)測量
  • 易于預處理的測量樣品

日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

規(guī)格

測量溫度逆時針
樣品尺寸寬10毫米x長10至20毫米x厚度0.3至1毫米(板)
測量氣氛在真空中

測量原理

關(guān)于“在絕熱邊界條件下通過2ω法評估薄片樣品的導熱系數(shù)”的論文

當金屬薄膜以f / Hz的頻率加熱時,加熱量變化為2f / Hz。
在充分散熱的條件下,金屬薄膜(0)–薄膜(1)–基板(s)的三層系統(tǒng)中金屬薄膜表面的溫度變化T(0)是一維的穿過金屬薄膜/薄膜,以下公式用于表示傳熱模型的解析解。

(Λ:導熱率W m -1 K -1,C:體積比熱容JK -1 m -3,q:每體積的熱量W m -3,d:厚度m,ω:角頻率(=2πf) / s -1

由于實數(shù)解(同相振幅)包含薄膜的信息,因此在相同條件下以不同頻率進行測量時,同相振幅與(2ω)-0.5成比例。
的熱導率λ 1所述的薄膜是通過以下公式獲得。
(M:斜率,n:截距)

Si基板上的SiO 2薄膜(20-100 nm)的示例

薄膜厚度/ nm19.951.096.8
導熱系數(shù)/ Wm -1 K -10.821.121.20


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